碳化硅(SiC)是由硅和碳元素組成的寬禁帶半導(dǎo)體材料?,化學(xué)式為SiC,俗稱金剛砂,具有高硬度、耐高溫、耐高壓等優(yōu)異特性,廣泛應(yīng)用于電子、能源、工業(yè)等領(lǐng)域。?產(chǎn)業(yè)鏈來看,碳化硅行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游為襯底和外延;中游為器件和模塊制造環(huán)節(jié),過程會(huì)經(jīng)歷晶圓設(shè)計(jì)、制造、封裝等工藝流程;下游則主要應(yīng)用于5G通信、國防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、軌道交通等領(lǐng)域。
從上游來看,近五年上游襯底、外延片市場規(guī)模及銷量快速增長。
碳化硅襯底,是一種由碳化硅材料制成的薄片。2020-2024年,全球碳化硅襯底市場規(guī)模呈快速增長。2024年全球碳化硅襯底市場規(guī)模達(dá)92億元,同比增長24.3%。
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碳化硅外延片,是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜(外延層)的碳化硅片。2024年全球碳化硅外延片銷量達(dá)到98.99萬片,同比增長24.7%。
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從中游來看,2020-2024年,碳化硅在全球功率半導(dǎo)體中滲透率呈增長走勢。2024年碳化硅在全球功率半導(dǎo)體中滲透率達(dá)4.9%。
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市場規(guī)模來看,近五年全球碳化硅功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模呈增長走勢。2024年全球碳化硅功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模達(dá)26億美元,同比增長8.3%。
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碳化硅射頻器件市場規(guī)模來看,射頻半導(dǎo)體器件在無線通訊領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,主要負(fù)責(zé)信號的轉(zhuǎn)換和處理,是無線通信設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)組件,主要包括功率放大器、濾波器、開關(guān)、低噪聲放大器和雙工器等。2024年全球半絕緣型碳化硅基射頻半導(dǎo)體器件市場規(guī)模達(dá)10.9億美元,較上年增長7.9%。
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從下游應(yīng)用占比來看,碳化硅行業(yè)廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源、儲能系統(tǒng)及新興行業(yè)。其中,2024年電動(dòng)汽車領(lǐng)域是應(yīng)用最廣泛的領(lǐng)域,占全球市場73.1%;其次是充電基礎(chǔ)設(shè)施和可再生能源領(lǐng)域,市場占比均為7.7%;儲能系統(tǒng)領(lǐng)域市場占比3.8%。
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